真空滅弧室有哪些歷史版本
本文作者:大禹漢光 發(fā)布時間:2015-09-29
真空滅弧室是真空斷路器的關鍵部件,可以說是真空滅弧室的不斷發(fā)展,才提高了真空斷路器的技術水平。從真空滅弧室在我國發(fā)展以來,總共有五個版本。
第一代、CuBi系合金觸頭,φ145 mm玻璃外殼,阿基米德螺旋槽橫磁電極結構,額定電壓12 kV,額定電流1 250 A,額定短路開斷電流20
kA。
第二代、引進西門子的3AF系列真空滅弧室。CuCr50合金杯狀觸頭,陶瓷外殼,杯狀橫磁電極結構,額定電流2 500~3 150
A,額定短路開斷電流31.5~40 kA。
第三代、自行開發(fā)的真空滅弧室。CuCr50觸頭材料,屏蔽罩內(nèi)置,φ88~125 mm陶瓷絕緣外殼,杯狀縱磁電極結構。額定電流3 150
A,額定短路開斷電流40 kA。
第四代、真空滅弧室。以一次封排技術為代表,整體質(zhì)量有了很大提高,開發(fā)出12 kV、24 kV和40.5
kV各種真空滅弧室。真空滅弧室工藝從排氣臺式工藝發(fā)展到一次封排工藝以至完全一次封排工藝,工藝過程變得簡單,不僅提高了數(shù)量而且提高了質(zhì)量。
第五代、固封極柱真空滅弧室。將真空滅弧室通過自動壓力凝膠工藝包封在環(huán)氧樹脂殼體內(nèi),形成固封極柱,避免了外力和外界環(huán)境對真空滅弧室及其他導電件的影響,增強了外絕緣強度,大大減少了裝配工作量,并使之真空斷路器小型化。真空滅弧室的外絕緣經(jīng)歷了空氣絕緣→復合絕緣→固封絕緣。
由以上可見,真空滅弧室技術的進步反映在觸頭的材質(zhì)上、縱橫磁場的形成上、制造工藝的改進上以及外絕緣的改變上。
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