真空滅弧室動態(tài)絕緣的兩個因素是開斷后觸頭間介質(zhì)強(qiáng)度的恢復(fù)速度和恢復(fù)電壓的上升速度。圖1為恢復(fù)電壓和介質(zhì)恢復(fù)強(qiáng)度的理想波形。真空滅弧室在開斷后可以承受的電壓上升率(du/dt)實(shí)際上反映了真空滅弧...
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真空滅弧室有三種生產(chǎn)工藝，具體介紹如下：
一、 排氣臺工藝
真空滅弧室生產(chǎn)工藝流程
是指將真空滅弧室的零件通過釬焊及氬弧焊等工藝制成為待排氣的整管，再連接到排氣臺進(jìn)行抽真空及烘烤除氣，最后進(jìn)行冷夾封口的過程。此工藝，過程復(fù)雜、路線長，一般有9道工序。因而效率低且對真空滅弧室零件的污染環(huán)節(jié)多。而且，按此工藝生產(chǎn)的真空滅弧室烘烤溫度低(450℃左右)，因而除氣不徹底。
二、一次封排工藝
是指將真空滅弧室各零件先釬焊成幾個部件，再將幾個部件組裝成真空滅弧室整件，然后再在真空爐中完成排氣、烘烤去氣及釬焊封口的過程。此工藝，過程較簡單，一般有7道工序，因而效率較高且人為污染也較少。此外，按此工藝生產(chǎn)的真空滅弧室烘烤溫度高(800℃～900℃)，因而排氣徹底。
三、完全一次封排工藝
是指將真空滅弧室所有零件直接組裝成整件，然后在真空爐中一次完成排氣、烘烤、釬焊封口的過程。此工藝，過程最簡單，一般僅有5道工序，人為環(huán)節(jié)最少，過程質(zhì)量最穩(wěn)定，但對封排設(shè)備的要求很高。
真空滅弧室動態(tài)絕緣的兩個因素是開斷后觸頭間介質(zhì)強(qiáng)度的恢復(fù)速度和恢復(fù)電壓的上升速度。圖1為恢復(fù)電壓和介質(zhì)恢復(fù)強(qiáng)度的理想波形。真空滅弧室在開斷后可以承受的電壓上升率(du/dt)實(shí)際上反映了真空滅弧...
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